IGBT

释义 Definition

IGBT 是 绝缘栅双极型晶体管（Insulated-Gate Bipolar Transistor）的缩写，一种常用于中高功率电力电子的半导体开关器件，兼具 MOSFET 的电压驱动、易控制特点与双极型晶体管的大电流/低导通损耗优势，常见于变频器、电机驱动、逆变器与电源系统中。

发音 Pronunciation (IPA)

/ˌaɪ dʒiː biː ˈtiː/

例句 Examples

The inverter uses an IGBT to switch the motor current.
这台逆变器使用 IGBT 来开关电机电流。

Compared with a MOSFET, an IGBT can reduce conduction loss in high-voltage applications, but it may switch more slowly and produce more switching loss at high frequency.
与 MOSFET 相比，IGBT 在高压应用中可能降低导通损耗，但其开关速度往往更慢，在高频下可能带来更大的开关损耗。

词源 Etymology

IGBT 来自其英文全称 Insulated-Gate Bipolar Transistor 的首字母缩写：

Insulated-Gate（绝缘栅）：栅极与沟道之间有绝缘层，主要靠电压控制；
Bipolar Transistor（双极型晶体管）：利用双极导电机制，适合承受较高电压与较大电流。
这一命名直接反映了器件“MOS 栅极控制 + 双极导电”的结构与工作特性。

文学与著作 Literary Works