能带偏移（带阶/带边不连续）：在异质结（由两种不同半导体或绝缘体构成的界面）处，由于材料能带结构不同，导致导带底或价带顶在界面两侧出现的能量差。常写作 ΔEc（导带偏移）、ΔEv（价带偏移）。在器件中它决定载流子更容易被“挡住”还是“困住”（如量子阱、HEMT、太阳能电池等）。
/bænd ˈɔfˌsɛt/
The band offset at the interface confines electrons in the quantum well.
界面处的能带偏移把电子限制在量子阱中。
Accurate band offset values are critical for designing heterostructure devices with low leakage and high performance.
准确的能带偏移数值对设计低漏电、高性能的异质结构器件至关重要。
band 在固体物理中指“能带”（电子允许存在的能量范围），offset 表示“偏移/错位”。合起来就是两种材料在接触时，其能带边缘相对位置发生“错位”的现象；在文献中也常与 band discontinuity（能带不连续） 互用。
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