band bending（能带弯曲）：半导体物理中的术语，指在半导体表面或界面附近，由于电荷重新分布与电势变化，导致导带与价带能级随位置发生“弯曲”的现象。常见于金属-半导体接触（肖特基结）、半导体-半导体异质结、MOS 结构等情境。
/bænd ˈbɛndɪŋ/
In an n-type semiconductor, band bending often occurs near the surface.
在 n 型半导体中，能带弯曲常发生在表面附近。
The measured surface potential suggests strong band bending caused by trapped charges at the interface, which affects carrier transport.
测得的表面电势表明界面陷阱电荷引起了明显的能带弯曲，从而影响载流子输运。
band 原指“带、条带”，在物理里引申为能带（energy band）；bending 来自 bend（弯曲），表示“发生弯曲的状态”。“band bending”作为固定搭配主要形成于20 世纪半导体与固体物理发展时期，用一种形象的说法描述：由于电场/电势随空间变化，能带图在靠近表面或界面处不再是水平直线，而呈现上弯或下弯。
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