bandgap（能带隙/带隙）：在固体（尤其是半导体、绝缘体）中，价带与导带之间电子不能取能的能量范围。带隙大小决定材料的导电性与光学性质（如吸收/发光波长）。也常写作 band gap。
/ˈbændˌɡæp/
Silicon has a bandgap of about 1.12 eV at room temperature.
硅在室温下的带隙约为 1.12 电子伏特。
By engineering the bandgap in layered materials, researchers can tune how the device absorbs and emits light across different wavelengths.
通过在层状材料中调控带隙，研究人员可以调节器件在不同波长范围内对光的吸收与发射行为。
bandgap 由 band（能带） 与 gap（间隙） 组合而成，源于固体物理的能带理论：电子在晶体中只能占据某些允许能级（能带），而在两条能带之间存在一段“不允许能级”的能量空白区，即“带隙”。
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